江浙沪光刻胶集成电路材料
中国在光刻胶领域十分不利，虽然G线/I线光刻胶已经基本实现进口替代，但高级别光刻胶依然严重依赖进口。KrF/ArF光刻胶自给率不足5%，EUV光刻胶还只是“星星之火”。国产KrF光刻胶已经逐步实现国产替代并正在放量，ArF光刻胶也在逐步验证并实现销售当中，国产光刻胶已经驶入了快车道。随着下游产能的快速增长，国产KrF/ArF光刻胶的需求将会持续提升。众所周知，在半导体装置的制造过程中，用于各种电路的无缝电气连接金属布线随着半导体产品的高集成化、高速化，越来越要求以较小的线宽制作。因此，选择合适的光刻胶是非常重要的，随着金属布线的线宽变小，不单大功率和低压力被用作金属布线形成的蚀刻方法，根据所用光刻胶的特点，去除蚀刻进程中产生的聚合物和光刻胶是非常重要的。金属氧化物光刻胶使用金属离子及有机配体构建其主体结构，借助光敏基团实现光刻胶所需的性能。江浙沪光刻胶集成电路材料
化学放大型光刻胶体系中有一个比较大的问题，就是光酸的扩散问题。光酸的扩散会增加光刻过程的图案的粗糙度，进而影响光刻结果的分辨率。而将光致产酸剂与光刻胶主体材料聚合在一起，则有可能解决这一问题。此外，光致产酸剂（特别是离子型光致产酸剂）的化学结构与主体材料相差较大，极易在成膜时发生聚集，导致微区分相现象；而光致产酸剂与光刻胶主体材料共价键合后，分布均匀性可以得到改善，这也有利于获得质量更好的光刻图案。浙江干膜光刻胶光致抗蚀剂光刻胶的组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。
一般的光刻工艺流程包括以下步骤：1）旋涂。将光刻胶旋涂在基底上（通常为硅，也可以为化合物半导体）。2）前烘。旋涂后烘烤光刻胶膜，确保光刻胶溶剂全部挥发。3）曝光。经过掩模版将需要的图形照在光刻胶膜上，胶膜内发生光化学反应。4）后烘。某些光刻胶除了需要发生光反应，还需要进行热反应，因此需要在曝光后对光刻胶膜再次烘烤。5）显影。曝光（及后烘）后，光刻胶的溶解性能发生改变，利用适当的显影液将可溶解区域去除。经过这些过程，就完成了一次光刻工艺，后续将视器件制造的需要进行刻蚀、离子注入等其他工序。一枚芯片的制造，往往需要几次甚至几十次的光刻工艺才能完成。
环状单分子树脂中除了杯芳烃类物质以外，还有一类被称为“水车”（Noria）的光刻胶，该类化合物由戊二醛和间苯二酚缩合而成，是一种中心空腔的双层环梯状结构分子，外形像传统的水车，因此得名，起初在2006年时由日本神奈川大学的Nishikubo课题组报道出来。随后，日本JSR公司的Maruyama课题组将Noria改性，通过金刚烷基团保护得到了半周期为22nm的光刻图形。但是这种光刻胶的灵敏度较低、粗糙度较大，仍需进一步改进才能推广应用。在平板显示行业；主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。
尽管HSQ可以实现较好的EUV光刻图案，且具有较高的抗刻蚀性能，但HSQ较低的灵敏度无法满足EUV光刻的需求，且价格非常昂贵，难以用于商用的EUV光刻工艺中。另外，尽管HSQ中Si含量很高，但由于O含量也很高，所以HSQ并未展现含Si光刻胶对EUV光透光性的优势，未能呈现较高的对比度。因此，研发人员将目光转向侧基修饰的高分子光刻胶。使用含硅、含硼单元代替高分子光刻胶原本的功能性含氧侧基，既可有效降低光刻胶对EUV光的吸收，又有助于提高对比度，也可提高抗刻蚀性。高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻胶属于技术和资本密集型行业，全球供应市场高度集中。江浙沪光聚合型光刻胶光致抗蚀剂
有机-无机杂化光刻胶被认为是实现10nm以下工业化模式的理想材料。江浙沪光刻胶集成电路材料
由于EUV光刻胶膜较薄，通常小于100nm，对于精细的线条，甚至不足50nm，因此光刻胶顶部与底部的光强差异便显得不那么重要了。而很长一段时间以来，限制EUV光刻胶发展的都是光源功率太低，因此研发人员开始反过来选用对EUV光吸收更强的元素来构建光刻胶主体材料。于是，一系列含有金属的EUV光刻胶得到了发展，其中含金属纳米颗粒光刻胶是其中的典型。2010年，Ober课题组和Giannelis课题组首度报道了基于HfO2的金属纳米颗粒光刻胶，并研究了其作为193nm光刻胶和电子束光刻胶的可能性。随后，他们将这一体系用于EUV光刻，并将氧化物种类拓宽至ZrO2。他们以异丙醇铪（或锆）和甲基丙烯酸（MAA）为原料，通过溶胶-凝胶法制备了稳定的粒径在2~3nm的核-壳结构纳米颗粒。纳米颗粒以HfO2或ZrO2为核，具有很高的抗刻蚀性和对EUV光的吸收能力；而有机酸壳层不但是光刻胶曝光前后溶解度改变的关键，还能使纳米颗粒稳定地分散于溶剂之中，确保光刻胶的成膜性。ZrO2-MAA纳米材料加入自由基引发剂后可实现负性光刻，在4.2mJ·cm−2的剂量下获得22nm宽的线条；而加入光致产酸剂曝光并后烘，利用TMAH显影则可实现正性光刻。江浙沪光刻胶集成电路材料
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