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产商必须平衡这些相关的因素使生产力达到比较大化。更高的切割速度和更大的荷载将会加大切割切割线的拉力,增加切割线断裂的风险。由于同一硅块上所有硅片是同时被切割的,只要有一条切割线断裂,所有部分切割的硅片都不得不丢弃。然而,使用更粗更牢固的切割线也并不可取,这会减少每次切割所生产的硅片数量,并增加硅原料的消耗量。硅片厚度也是影响生产力的一个因素,因为它关系到每个硅块所生产出的硅片数量。超薄的硅片给线锯技术提出了额外的挑战,因为其生产过程要困难得多。除了硅片的机械脆性以外,如果线锯工艺没有精密控制,细微的裂纹和弯曲都会对产品良率产生负面影响。超薄硅片线锯系统必须可以对工艺线性、切割线速度和压力、以及切割冷却液进行精密控制。使得太阳能的利用率较低。杭州硅片回收多少钱
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线锯的发展史台实用的光伏切片机台诞生于1980年代,它源于CharlesHauser博士前沿性的研究和工作。CharlesHauser博士是瑞士HCT切片系统的创办人,也就是现在的应用材料公司PWS精确硅片处理系统事业部的前身。这些机台使用切割线配以研磨浆来完成切割动作。,主流的用于硅锭和硅片切割的机台的基本结构仍然源于CharlesHauser博士初的机台,不过在处理载荷和切割速度上已经有了的提高。切割工艺现代线锯的是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细度切割线。多可达1000条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的切割线“网“。马达驱动导线轮使整个切割线网以每秒5到25米的速度移动。切割线的速度、直线运动或来回运动都会在整个切割过程中根据硅锭的形状进行调整。在切割线运动过程中,喷嘴会持续向切割线喷射含有悬浮碳化硅颗粒的研磨浆。
碳化硅具有两种晶型,β-型是立方体,α=0.4350纳米特硬。绿色至蓝黑色。介电常数7。硬度9莫斯。A-是半导体。迁移率(300K),平方厘米/(VS),400电子和50空穴,谱带间隙eV,303(0开)和2.996(300开);有效质量0.60电子和1.00空穴,电导性,耐高温氧化性能。相对密度3.16。熔点2830℃。导热系数(500℃)22.5、(1000℃)23.7瓦特(平方米·开)。热膨胀系数:线性至100℃:5.2×10-6/℃,不溶于水、醇;溶于熔融碱金属氢氧化物。通常碳化硅在切割加工过程中,由于机械力作用,导致碳化硅微粒的球形系数、粒径和粒径分布发生变化;另外,切割液使用过程中,多晶硅被切割的粉末和其它机械杂质混于其中,形成混合性切割加工副产物。切割用碳化硅微粒要求很高的纯度以及一定的球形系数,合适的粒径分布。所以,硅片切割加工副产物不能直接回用于生产过程。碳化硅作为重要的材料,由于生产过程复杂,消耗大量的能源,价格高,所以,人们一直致力于从硅片切割加工副产物中提取高纯度、符合硅片切割加工工艺要求的碳化硅微粉。具有良好的缓冲、抗震、隔热、防潮和抗化学腐蚀等优点,且无毒,不吸水。
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